बीजिंग : चीनमधील संशोधकांनी एक नवीन प्रकारचा ट्रान्झिस्टर तयार केला आहे, जो पारंपरिक सिलिकॉनवर आधारित ट्रान्झिस्टर्सपेक्षा 40 टक्के अधिक जलद काम करू शकतो आणि 10 टक्के कमी ऊर्जा वापरतो, असा दावा त्यांनी केला आहे. साऊथ चायना मॉर्निंग पोस्टच्या अहवालानुसार, ही प्रगती ट्रान्झिस्टर संशोधनात ‘नवीन दिशा’ दर्शवते.
पेइचिंग विद्यापीठातील रसायनशास्त्राचे प्राध्यापक आणि अभ्यासाचे प्रमुख लेखक हायलीन पेंग यांनी या ट्रान्झिस्टरबाबत सांगितले की, विद्यमान तंत्रज्ञानावर आधारित चिप्समधील नावीन्याला जर ‘शॉर्टकट’ मानलं जात असेल, तर आमचं हे संशोधन म्हणजे पूर्णपणे ‘लेन बदलणं’ आहे. या नव्या ट्रान्झिस्टरचा पाया आहे, Gate- All- Around Field- Effect Transistor ( GAAFET) तंत्रज्ञान, जे पारंपरिक FinFET ट्रान्झिस्टर्सपेक्षा एक पाऊल पुढे आहे. GAAFET मध्ये ट्रान्झिस्टरचा गेट स्रोताच्या सर्व चार बाजूंनी गुंडाळलेला असतो, तर पारंपरिक FinFET मध्ये तो फक्त तीन बाजूंनी असतो.
ही संरचना ट्रान्झिस्टरच्या कार्यक्षमतेत आणि ऊर्जा वापरात लक्षणीय सुधारणा घडवून आणते. ट्रान्झिस्टर हा संगणक चिप्समधील एक मूलभूत घटक आहे. यामध्ये source (स्रोत), gate (नियंत्रक) आणि drain (निर्गम) हे भाग असतात. गेटद्वारे source आणि drain यामधील विद्युतप्रवाह नियंत्रित केला जातो, त्यामुळे ट्रान्झिस्टर एक तर स्विच म्हणून किंवा वर्धक (amplifier) म्हणून कार्य करतो. ही नवी संकल्पना Intel सारख्या मोठ्या अमेरिकन चिप उत्पादक कंपन्यांपेक्षा वेगवान आणि अधिक कार्यक्षम चिप्स तयार करू शकते. याचा अर्थ असा होतो की, भविष्यातील संगणक, स्मार्टफोन आणि कृत्रिम बुद्धिमत्ता यंत्रणा अधिक जलद आणि ऊर्जा कार्यक्षम असतील.
